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高带宽闪存崛起:或超HBM成为AI存储新支柱

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KAIST教授预测,高带宽闪存(HBF)市场规模有望在12年内超越HBM。三星、SanDisk计划在2028年前将HBF集成至Nvidia、AMD和Google的产品中。HBF将作为GPU的中间存储层,连接HBM与网络存储,单单元容量达512GB,带宽1.638TBps。该技术通过TSV垂直连接堆叠多层NAND,SK海力士等厂商正加速推进原型机与标准化,旨在打破AI数据传输瓶颈,构建HBM-HBF-SSD三级存储架构。

原文链接:Hacker News

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