突破边缘AI功耗瓶颈：SK海力士联合研发忆阻器存算一体芯片

SK海力士携手 TetraMem 与南加州大学，共同研发了一款面向边缘 AI 设备的存内计算 SoC，旨在通过忆阻器技术提升神经网络推理的能效。该芯片集成了 RISC-V 处理器用于任务调度，并配备了 10 个神经处理单元（NPU），理论峰值算力约为 2.54 TOPS。其核心技术在于利用忆阻器构成交叉阵列，直接在存储内部完成矩阵运算，从而避免了传统架构中数据在内存与处理器间反复搬运产生的高能耗。针对忆阻器模拟计算易受精度限制的问题，设计团队采用了双子阵列补偿技术，将有效权重精度提升至约 4 位，实测推理准确率达到 80.36%。在性能表现上，该 SoC 在 100 MHz 频率下能效高达 21.3 TOPS/W，展现了存算一体架构在低功耗边缘计算场景中的巨大潜力。

事件分析

💡 核心观点：存算一体架构打破冯·诺依曼功耗墙，存储巨头的入局将加速边缘AI算力从“堆料”向“架构创新”演进。